许泽尧 1,2,*熊浩 1李平 1洪锦泉 3[ ... ]江琳沁 1
作者单位
摘要
1 福建江夏学院钙钛矿绿色应用福建省高校重点实验室, 福州 350108
2 福州大学物理与信息工程学院, 福州 350108
3 闽江学院福建省海洋传感功能材料重点实验室, 福州 350108
4 福建省计量科学研究院国家光伏产业计量测试中心, 福州 350003
本文采用简单的室温球磨法制备了一系列L-组氨酸(L-His)和5-氨基戊酸(5-Ava)修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿荧光粉, 并对Cs3Cu2I5∶x%L-His和Cs3Cu2I5∶x%5-Ava(x=0、0.5、1、1.5、2)样品的物相、形貌、光学和稳定性进行了分析。氨基酸添加未对Cs3Cu2I5钙钛矿的晶体结构造成影响, Cs3Cu2I5仍属于Pnma空间群, 但氨基酸的加入对钙钛矿的晶粒尺寸有一定的限制作用, 并有效改善了其光电性能。当x=1时, 经L-His和5-Ava修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿较纯Cs3Cu2I5钙钛矿的荧光强度分别提升约1.30倍和1.41倍, 光致发光量子产率(PLQY)提高约25.09个百分点和30.47个百分点, 荧光寿命有效延长。研究发现, 性能的改善与氨基酸中氨基以及羧基基团的作用有关, 氨基以及羧基基团钝化了钙钛矿的缺陷并抑制非辐射复合过程的能量损失。此外, 采用L-His和5-Ava修饰的Cs3Cu2I5钙钛矿荧光粉制备了蓝光发光二极管(LED), 在70 mA的偏流下, 该LED光效率较纯Cs3Cu2I5器件分别增强达1.85倍和2.10倍, 表明这类材料在LED领域有着极大的应用价值。
钙钛矿荧光粉 氨基酸修饰 光致发光量子产率 缺陷 非辐射复合 perovskite phosphor Cs3Cu2I5 Cs3Cu2I5 amino acids modification PLQY defect non-radiative recombination 
人工晶体学报
2023, 52(9): 1681
孟竹 1,*徐豪 2
作者单位
摘要
1 沈阳理工大学 理学院,辽宁 沈阳 110158
2 沈阳大学 科技创新研究院,辽宁 沈阳 110003
半导体纳米晶的多激子复合过程在激光器件、发光二极管和光伏等方面具有巨大的应用价值,但粒子体积的减小会加速多激子态的非辐射俄歇复合,这极大地阻碍了相关应用的发展。因此,抑制俄歇复合成为纳米晶体领域一个重要的研究课题。本文基于球形量子阱结构CdS/CdSe/CdS,通过共格应变减小由材料间晶格失配引起的缺陷,制备出高荧光量子产率的大尺寸纳米晶。应用时间分辨荧光光谱技术,在光谱学以及动力学领域研究了大尺寸量子阱的多激子复合特性,分析了单激子及多激子的衰减寿命和谱线特征,并证实了大尺寸量子阱对俄歇复合的抑制作用。本研究有望促进纳米结构在多激子应用中的发展。
大尺寸量子阱 多激子 时间分辨荧光光谱技术 非辐射复合 large-scale quantum well multiexcitons time-resolved fluorescence spectroscopy non-radiative recombination 
发光学报
2023, 44(6): 1051
汤洋 1,2,*
作者单位
摘要
1 国家能源集团绿色能源与建筑研究中心, 北京 102211
2 北京低碳清洁能源研究院, 北京 102211
为在新型太阳能电池等先进光电器件中成功应用ZnO纳米柱阵列,需要以高沉积速率生长ZnO纳米柱,并能够对纳米柱的形貌与光电物理性质进行操控。使用电沉积方法制备ZnO纳米柱阵列,在主电解液中加入了六次甲基四胺,对所制备的ZnO纳米柱阵列的形貌与光电物理性质进行了测试分析。六次甲基四胺能够大幅提升ZnO纳米柱的生长速率,相比未使用六次甲基四胺的电解液配方,ZnO纳米柱的生长速率提高了356%。同时,纳米柱的直径与阵列密度得到有效降低,纳米柱间距增大至58 nm。六次甲基四胺的引入使ZnO纳米柱的光学带隙约红移了0.12 eV。在六次甲基四胺的作用下,ZnO纳米柱的斯托克斯位移减小0.15 eV,非辐射复合受到抑制。通过使用六次甲基四胺,实现了ZnO纳米柱的快速电沉积生长,同时实现了对纳米柱的光学带隙、近带边发射、斯托克斯位移、非辐射复合等光电物理性质的操控。
材料 纳米材料 氧化锌 六次甲基四胺 电沉积 快速生长 非辐射复合 
光学学报
2020, 40(16): 1616001

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