基于0.18 μm BCD工艺, 提出了一种外部可调、带限流的折返式LDO过流保护电路。该电路同时具有限流和折返功能。限流部分通过电流镜构成的环路箝位最大输出电流, 折返部分通过误差放大器构成的负反馈环路产生与输出电压成比例的电流折返输出电流。与传统过流限结构相比, 新结构可降低功耗, 保护功率管不被烧毁; 与传统折返式结构相比, 新结构可通过调节外部电阻方便地调节过流限与折返点电压, 避免了稳压器的闩锁现象。在1.2 V典型输出下, LDO电路的仿真验证结果表明, 在调节四组不同的外部电阻值条件下, 过流限范围为215~350 mA, 折返电压范围为450~900 mV, 输出短路时, 功率管的功耗降至230 mW。

基于0.4 μm标准BCD工艺, 设计了一种带有软关断和欠压保护的IGBT去饱和过流检测电路(DESAT)。采用Cadence软件设计并搭建电路, 在Hspice软件中进行仿真调试。结果表明, 在开始一段时间, 欠压锁定电路(UVLO)输出低电平, 强制使器件处于关断状态; 当UVLO输出高电平之后, DESAT被激活并开始检测集电极电压, 一旦检测到集电极电压超过预设6.5 V阈值电压, 便对器件执行软关断动作, 软关断的持续时间为10 μs。该检测电路实现了UVLO和DESAT对IGBT的协同保护。

随着CMOS图像传感器(CIS)的广泛应用, 低功耗、高集成化、高稳定性成为其发展趋势, 低压差线性稳压器(LDO)因体积小、功耗低、噪声低及电源抑制比高等优点而满足芯片供电需求。为了避免传统电源在芯片异常时仍持续工作致使功耗增加或芯片烧毁, 设计了一种可应用于CMOS图像传感器的LDO电路, 并加入了LDO的保护电路结构。该保护电路具有欠压保护与过流保护的功能, 并能够通过数字电路对LDO进行使能控制。基于0.11μm CMOS工艺平台对LDO及其保护电路进行仿真与分析, 完成了该工艺下电路版图的绘制和验证。

越来越多的光伏电源以分布式的方式接入配电网, 改变了配网原有的结构, 给配网的电流保护带来了诸多影响。从电网侧出发, 分析了光伏电源接入配网对配电网的影响, 建立了基于电流保护约束的光伏电源接入模型, 并在IEEE33节点配网系统上进行了算例验证, 通过粒子群算法(PSO)得出了在不改变配网原有保护和电力系统安全运行条件下的分布式光伏电源的最佳接入位置和容量。研究结果为分布式光伏电源的选址和定容提供了一定的理论依据。