设计并制备了一种基于忆阻器结构且具有可编程特性的Ge基光控晶体管，它由两个结构为Ni/Ge/GeOx/Al2O3∶HfO2/Pd的忆阻器背对背组成，共用阻变层GeOx/Al2O3∶HfO2、衬底Ge和底电极Ni，阻变层的设计是实现光控晶体管功能的关键。两个顶电极Pd作为光控晶体管源漏极，中间区域作为栅极接受外加光源的栅控。探究了Ge基忆阻器光电响应特性，并实现光控晶体管基于光源栅控的输出与转移特性。进一步地，探究了器件的物理机制并验证设计的科学性和可行性。该光控晶体管具有非易失性与标准CMOS工艺兼容性等优势，能有效简化器件制备工艺、降低制造成本，可为下一代光电芯片研发提供参考。

为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理, 在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上, 通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明, 随着退火温度、溅射功率的改变, 薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化, 且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现, 黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失, 表面晶格损伤较大; 单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大, 而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率, 双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。

随着近几年液晶显示技术在诸多领域的广泛应用和新技术的推出,人们一直致力于改善液晶器件显示性能的研究。在液晶显示器应用中,电光特性是一个很重要的参数,介绍了采用激光测量的方法获得液晶的电光特性、阈值电压及视角特性。分析了液晶分子在交流电场作用下重新取向后的扭曲特性,测试了不同电压下液晶分子的透光率和扭曲角度,结果表明：该方法是可行的,向列相液晶具有0.92 V较低阈值电压和较为陡峭的电光曲线,水平方向上在-60°~+50°有较好的视角特性,垂直方向上在-40°~+20°有较好的视角特性。该结论为偏光器件的设计与制作提供了依据。

电容触摸屏广泛应用于手机、平板电脑等诸多产品。由于电容触摸屏四层复合膜技术对各波长光的透光率不一致,存在色彩失真问题,光线在各层间的反射,还容易造成图像字符模糊。用UV-Vis8500型双光束紫外/可见分光光度计测不同电压下黑白和彩色两种电容触摸屏的电光显示特性,分析其对三基色的透射率变化情况;结果表明:随着电压的变化,黑白和彩色两种电容触摸屏对三基色透射率的变化都不一致;黑白电容触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为9%,最小为0。彩色电容触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为2.5%,最小为0。在电压6 V以后,彩色电容触摸屏三基色透射率的差值可以维持在一个非常微小的范围。以此作为基础,可对颜色进行一定的校正和补偿,以获得精确的色调和色饱和,便于进一步研究改善电容触摸式液晶显示器件的显示性能。