1 深圳大学物理与能源学院, 广东 深圳 518060
2 深圳大学光电工程学院, 广东 深圳 518060
为了实现对铜铟硒膜光电性能的调制处理, 在制备不同厚度铜铟硒膜的基础上, 通过引入离子注入设计了不同的膜层结构。测试结果表明, 随着退火温度、溅射功率的改变, 薄、厚二种铜铟硒膜层的禁带宽度、电阻率、拉曼光谱均发生变化, 且表现有所区别。对铜铟硒膜进行离子注入后发现, 黄铜矿结构对应的拉曼峰减弱甚至消失, 表面晶格损伤较大; 单注入铝离子使得电阻率及禁带宽度均增大, 而单注入钛离子增大了禁带宽度但降低了电阻率, 双注入铝离子与钛离子则可以在较大范围内对电阻率、禁带宽度进行调制。
铜铟硒膜 离子注入 光电性能 拉曼光谱 禁带宽度 CuInSe2 films ion implantation photoelectric characteristic Raman spectrum band gap
