中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳 621999
为研究制作 THz频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延 (MBE)生长了掺杂浓度分别为 5×1018 cm -3的缓冲层和 2×1017 cm -3的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整。通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的 SiO2钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善。研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到 0.8×10-7 Ω/cm2。用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域,结合 GaAs湿法刻蚀的速率控制,完成了表面沟道的制作,制作出完整的平面肖特基二极管。通过 I-U曲线理论计算,二极管的截止频率达到太赫兹量级,为后续工作奠定了基础。
平面肖特基二极管 制作工艺 截止频率 太赫兹 planar Schottky barrier diode fabrication cut -off frequency Terahertz 太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(4): 544