华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与器件研究所发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州 510640
采用五水合氯化锡配制前驱体溶液,通过旋涂法在玻璃基底上制备了一种可见光平均透射率在90%以上的氧化锡透明薄膜。研究发现,对玻璃基底进行等离子预处理有助于改善氧化锡薄膜的表面质量。当等离子处理功率为25 W时,薄膜表面质量最佳。在低于500 ℃下,升高退火温度不仅可减少薄膜中的有机成分残留,而且可在不改变薄膜物相的情况下增大薄膜的光学带隙。退火温度为500 ℃时,薄膜开始发生由非晶到多晶的转变。
薄膜 氧化锡薄膜 溶液法 等离子表面处理 退火温度 光学带隙 光学学报
2018, 38(10): 1031001
清华大学 信息科学与技术国家实验室, 北京 100084
研究了基于Al2O3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al2O3作为InP/SOI键合中间层, 同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理。原子力显微镜和接触角测试结果表明, 氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合。透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实, 采用Al2O3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合。
晶片键合 等离子表面处理 键合中间层 wafer bonding plasma surface treatment bonding interface layer
