为了研究锑化铟(InSb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程, 用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流, 以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响, 用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流, 比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明, InSb材料载流子弛豫时间越长, 载流子迁移率越大; 表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比; 宏观电磁场理论更适于分析表面电流; 抽运激光饱和能量密度越大, 太赫兹近场辐射强度越强; 抽运激光脉冲宽度越短, 太赫兹近场辐射强度越强; InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。

基于速率方程理论对低重复频率高功率脉冲抽运Er-Yb共掺光纤放大器(EYDFA)进行了理论研究。通过采用有限差分法对理论模型的求解，系统分析了在放大自发辐射(ASE)受限情况下，抽运脉冲峰值功率、抽运脉宽、信号时延对放大器性能的影响。结果表明，在将ASE控制在合理范围的情况下，抽运脉冲存在一个最佳的抽运脉冲宽度，信号脉冲相对抽运脉冲的时延对输出峰值功率和脉冲能量有非常重要的影响。而且对给定的增益介质，抽运脉冲峰值功率也并非越高越好，而是存在一个最佳值。该研究结果对高功率脉冲抽运Er-Yb共掺光纤放大器的实验研究具有指导意义。

设计了一种脉冲激光二极管抽运的低重复频率全固态腔倒空激光器，为了尽可能减小损耗的影响，在腔内采用双薄膜偏振片结构，使反射率较高的垂直方向线偏振光在腔内振荡。以此装置为基础，就泡克耳斯盒驱动电源较长的下降沿时间对全固态腔倒空激光器输出特性的影响进行了实验研究。结果表明当泡克耳斯盒驱动电源的下降沿时间远大于腔内的一次往返时间时，激光器输出特性会发生明显地变化：增大电流强度会导致脉冲宽度增大，脉冲能量经历先增大后减少的过程；增大泡克耳斯盒驱动电源的开门时间，也会导致脉冲宽度和能量发生类似的变化。

介绍了一种基于计算机与单片机联合控制的光泵浦脉冲产生系统,该系统主要工作于低频率长周期种子光源的放大驱动。系统采用半导体激光器发出的光脉冲作为光放大器的泵浦光源,能通过计算机或手动调整半导体激光器泵浦的输出功率、脉冲宽度、脉冲间隔，并同步/延时触发种子光源，可用于中、大功率光放大器的应用研究。与现有采用纯定时电路的光放大驱动系统相比，该系统具有可计算机远程控制、可数字化控制、可与外电路同步、电路简单稳定、体积小等优点，已稳定使用一年多。

对脉冲抽运与增益预抽运的微腔Cr4+:YAG/Nd:YAG被动调Q激光器的稳定性进行了理论和实验研究。结果表明在抽运时抽运脉宽和重复率较大的情况下,输出激光脉冲相对于抽运脉冲抖动范围明显加大。针对此情况,采用压缩抽运脉宽和降低重复率的方法获得了波长为1.06 μm、脉宽为3.8 ns、单脉冲能量为65 μJ、相对抽运脉冲的抖动范围小于0.8 μs的激光输出。同时分析了增益预抽运的优势和缺点。

利用脉冲波面倾斜技术补偿三波相互作用的群速度失配，建立了掺钛蓝宝石飞秒再生放大器输出倍频光泵浦共线类匹配BBO晶体的光参量产生和放大器，其信号和空闲光输出调谐范围为0.47～2.7μｍ，脉冲宽度为100～170 fs，重复率为1 kHz。脉冲最大输出能量为6.5 μＪ，总能量转换效率大于15%。