通过对Inx Ga1-x N掺杂不同组份的In来改变Inx Ga1-x N的禁带宽度,从 而改变量子阱势垒高度,并研究其与发光二极管光电性能、效率下降之间的关系。通过仿真模拟实验研究了不同量子阱势垒高度 与InGaN/GaN量子阱发光二极管的功率光谱密度、内量子效率、发光功率及复合率之间的关系。分析结果表明: 1) In含量与 发光二极管的光电性能并非成线性关系。2) 在电流密度较低时, In组份越小,光谱密度峰值越大,发光功率越大。3) 在电流 密度较大时, In组份越大,光谱密度峰值越大,发光功率越大。4) 光谱蓝移与电流密度大小紧密相关, 电流密度大的蓝移程度大,反之越小。因此,应根据不同的电流密 度来选择In组份的大小,从而提高发光效率。