基于SiC宽禁带半导体材料及器件，实现了SiC宽禁带器件与超高真空器件的混合兼容设计与制备，研制了一种新型的SiC基真空‑固态混合光电探测器，光敏面有效直径25 mm，器件电子轰击增益近200倍，响应信号半高宽4.5 ns。为真空‑固态混合光电探测器件理论研究与工程应用的深入推进奠定了基础。

针对全天时星敏感器视场选通成像系统的应用需求，设计了一种基于静电驱动的单元尺寸为4 mm、开口面积占空比为90%、响应时间为25 ms、单元数为7×7的微开关阵列。考虑到微开关阵列体硅加工工艺中材料的特性，首先确定电极宽度、支撑梁宽度和支撑梁厚度等参数，再根据微开关单元结构的数学模型对支撑梁数目及长度进行理论分析，优化设计了微开关阵列主要结构参数。利用电磁场仿真软件和有限元仿真软件对微开关单元的驱动特性进行仿真分析，结果表明，仿真计算的微开关单元驱动电压为106.4 V时可以开启微开关单元，与理论计算结果114 V基本吻合，验证了微开关阵列设计参数的可行性。此外，利用杂光分析软件对微开关阵列引入系统内的杂散光进行仿真分析，结果表明，微开关阵列的表面反射率对系统杂散光的影响较小，即使80%的表面反射率也不会明显增加视场选通成像系统的杂散光。该研究为视场选通成像系统的微开关阵列提供了一种有效的设计方案，推动了视场选通成像系统的实际应用。

光驱动液晶显示（optically driving liquid crystal display，ODLCD）通过偏振光控制液晶分子的取向来实现显示功能，它已经被广泛应用在各种光电器件中。然而，由于ODLCD较大的擦写时间和响应时间，它在实际应用中仍然受到了一定的限制。本文在ODLCD的光取向层azo dye（SD1）中掺杂了氧化镍（NiO）纳米粒子，并探究了NiO纳米粒子对ODLCD的擦写时间和响应时间的影响。同时，利用扫描电镜、透射电镜和原子力显微镜研究了NiO在SD1取向层的分布和微观形貌。实验结果表明，随着NiO浓度增加，NiO在SD1薄膜的粒径逐渐变大。在不同质量比（1∶0到1∶0.1）的SD1-NiO中，质量比为1∶0.08的SD1-NiO制备的ODLCD具有最小为6.8 s的擦写时间。此外，对于传统的电驱动液晶显示（liquid crystal display，LCD）应用中，掺杂比为1∶0.02的SD1-NiO所制备的ODLCD的响应时间被降低5 ms。

Terahertz (THz) NH₃ lasing with optical pumping by electron-beam-sustained discharge “long” (∼100µs) CO₂ laser pulses was obtained. The NH₃ laser emission pulses and the “long” pulses of the CO₂ pump laser were simultaneously measured with nanosecond response time. The NH₃ lasing duration and its delay with respect to the pump pulse were measured for various CO₂ laser pulse energies. For the CO₂ laser pump line 9R(30), three wavelengths of 67.2, 83.8, and 88.9 µm were recorded. For the CO₂ laser pump line 9R(16), only a single NH₃ laser line with a wavelength of 90.4 µm was detected.

为满足重离子治癌加速器装置（HIMM）回旋加速器引出段束流流强的测量需求，设计了新的束流流强测量系统，该系统利用积分电流变换器（ICT）及锁相放大器等配套电子学，能够实现束流流强的非拦截实时测量。文中首先分析了中能束线（MEBT）束流流强的测量需求，并对设计方案进行了实验室系统分析和在线束流强测量。实验室结果表明，锁相放大器的幅度和相位响应一致性满足测量需求。由于ICT对束流流强的测量是相对测量，先使用法拉第筒对ICT进行在线标定；标定前先对法拉第筒（FC）（20 μA档位）和ICT系统的流强分辨在线测量，分别为6.45 nA和5.163 nA。由于束流抖动的影响，测量的束流的稳定性约90 nA，其对应的相对测量误差约8%，ICT系统响应时间小于1 ms。测量结果表明，该系统满足物理测量需求。回旋加速器高频系统参数变化引起ICT标定系数变化的工作将在进一步工作中展开。