提高微通道板（ Micro-channel Plate，MCP）的综合性能一直都是器件使用性能提升首要解决的关键问题。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板性能提升提供了契机，使用原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术，在微通道板的通道内壁生长一层 Al2O3薄膜作为高二次电子发射层，以增强通道内壁的二次电子发射能力，从而提升微通道板的增益性能。通过调节 ALD沉积过程中的循环数，腔室反应温度和前驱体反应时间，分析工艺条件改变对 MCP二次电子增益的影响。结果表明 ALD沉积工艺参数对 MCP二次电子增益有很大影响，使用适当的工艺参数，可得到具有高二次电子增益的 MCP。