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光学器件
900nm高功率半导体激光器线阵列
辛国锋 1,2,*冯荣珠 2陈国鹰 1花吉珍 2
作者单位
摘要
1 河北工业大学信息学院微电子所,天津,300130
2 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050021
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.
金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列 分别限制结构 单量子阱 
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激光与光电子学进展
2003, 40(3): 43
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