采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管（IGZO-TFT）,通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压, 研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明, 所有器件都展现出良好的电学特性, 随着氧分压从10%增加到50%, TFT的阈值电压由0.5 V增加到2.2 V, 而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30 V偏压3 600 s后, 随着氧分压的增加, 阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低, 建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大, 阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体（MIS）结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态, 栅介质层(GI)会俘获更多的电子, 造成阈值电压漂移量较大的现象。

分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明: ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率; 在同等制备条件下，IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT; 二者都有着较低的泄漏电流，并且差别很小。另外，ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移，而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移，由此可见IGZO TFT比 ZnO TFT有着更好的稳定性。总之，IGZO 薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。