南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院, 江苏 南京 210023
采用磁控溅射镀膜仪制备了基于过渡金属W和介质SiO2的6层薄膜样品,膜系结构为Cu (>100.0 nm)/SiO2(63.5 nm)/W(11.0 nm)/SiO2(60.0 nm)/W(5.4 nm)/SiO2(75.5 nm)。在250~2500 nm的波长范围内,该样品的太阳光吸收率为95.3%,且在400 ℃低真空(6 Pa)条件下退火72 h之后,样品的反射光谱特性变化较小,证明了该样品具有极高的热稳定性。使用红外热成像仪对样品的红外辐射特性进行了在位实时表征,结果表明样品具有低辐射特性。这些优良的特性有利于该样品在太阳能光热转换中的应用。
薄膜 太阳光谱选择性吸收 磁控溅射 热辐射 热成像仪
