西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料和器件重点实验室，陕西 西安 710071
通过设计B和N原子取代碳原子，可以实现对石墨烯性能的调制.结果显示，石墨烯的带隙被打开，狄拉克锥在费米能级上上下移动，类似于对其进行p型或n型掺杂.在费米能级处电子态存在，电荷从杂质转移到C原子上或者从碳原子转移到杂质上.静态介电函数ε1(0)增大,在对应可见光及其以下的能量区域出现了新的吸收峰.由于B或N的掺杂，使得石墨烯中等离子体激发减少，导致了电子能量损失函数峰值的减少.只有一个明显的峰值与本征石墨烯最高峰的位置相同，但是峰值的高度显著增加.
石墨烯 掺杂 第一性原理 电子性能 光学性能 graphene doping the first principles study electronic properties optical properties
