中国工程物理研究院 激光聚变研究中心, 四川 绵阳 621900
在激光尾场加速中, 光学注入是一种有效的可控电子注入机制。然而, 低电量、大发散度的电子束特性无法满足实际应用的需要。为获得大电量、高品质电子束提出采用紧聚焦的超高斯激光作为注入脉冲的新型注入方案。研究发现, 相比于普通高斯激光, 紧聚焦的超高斯激光不仅能够将电子束发散度降低近一个数量级, 而且能够保持电子束电荷量不变。通过哈密顿理论模型证实, 离轴电子是发散度的主要来源, 而紧聚焦的超高斯激光极大地限制了离轴电子的注入, 因此有效地降低了电子束的发散度。
激光尾场加速 光学注入 电子束发散度 离轴电子 紧聚焦超高斯激光 laser wakefield accelerations optical injection emittance of electron beam off-axis injected electrons tightly focused super-Gaussian laser 强激光与粒子束
2018, 30(11): 111003
