北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室, 北京 100081
基片集成波导(SIW)既有波导的损耗低、品质因数高、功率容量大的特点, 又兼具微带线的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成的优点, 被广泛应用于微波电路设计之中。鉴于目前测试系统及级联都采用矩形波导端口, 为实现对SIW元器件的测试及系统集成, 须对SIW元器件进行过渡结构设计。采用三维高频电磁仿真软件仿真和优化, 设计了一种新型 SIW-波导过渡结构。仿真结果表明: 该结构在 205~225 GHz频段内, 带内插入损耗在 0.5~0.6 dB之间, 回波损耗大于12 dB; 背对背结构, 插入损耗小于 1.5 dB, 回波损耗大于 10 dB, 相对带宽 11.4%。
太赫兹 基片集成波导 过渡结构 THz Substrate Integrated Waveguide transition structure 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(3): 364
