1 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心，四川成都 610200
2 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621999
设计了一个工作于 D波段的微带转波导结构。过渡结构由 2部分组成，分别为微带-带状线过渡结构和带状线－波导过渡结构。相比传统的微带至波导结构，该结构无需额外的金属波导短路结构，减少了加工流程，直接和标准波导相连即可。仿真结果表明，在 122~140 GHz范围内，反射系数小于 -10 dB，最小插入损耗为1.85 dB。该过渡结构基于栅格阵列( LGA)封装工艺，能够直接与其他的芯片和无源器件进行集成和封装，对射频微系统的集成具有重要意义。
过渡结构 微带线 带状线 波导 D波段，系统集成 transition microstrip stripline waveguide D -band system integration 太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(5): 735
北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室, 北京 100081
基片集成波导(SIW)既有波导的损耗低、品质因数高、功率容量大的特点, 又兼具微带线的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成的优点, 被广泛应用于微波电路设计之中。鉴于目前测试系统及级联都采用矩形波导端口, 为实现对SIW元器件的测试及系统集成, 须对SIW元器件进行过渡结构设计。采用三维高频电磁仿真软件仿真和优化, 设计了一种新型 SIW-波导过渡结构。仿真结果表明: 该结构在 205~225 GHz频段内, 带内插入损耗在 0.5~0.6 dB之间, 回波损耗大于12 dB; 背对背结构, 插入损耗小于 1.5 dB, 回波损耗大于 10 dB, 相对带宽 11.4%。
太赫兹 基片集成波导 过渡结构 THz Substrate Integrated Waveguide transition structure 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(3): 364
