1 长春电子科技学院 电子工程学院, 吉林 长春 130114
2 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012
3 空军航空大学, 吉林 长春 130012
半透明钙钛矿太阳能电池具备集采光及发电于一身的优点, 在新能源汽车、建筑集成光伏系统等领域具有巨大的应用前景。光伏系统主要位于车顶或屋顶或开放区域, 以实现最大程度地暴露在阳光下, 半透明太阳能电池可以集成到车体或建筑物的侧面, 达到最大限度地提高空间容量, 扩大能源产量。但是, 半透明钙钛矿太阳能电池如何在保证光电转换效率的同时具备良好的透光率, 一直是科学界面临的难题, 设计新型器件结构、开发吸光层和透明电极材料等问题亟待解决。本文围绕高性能、半透明钙钛矿太阳能电池总结了器件结构设计、材料选择和制备工艺方面最新的研究进展, 并讨论了目前研究中所面临的问题和未来的发展方向。
半透明 钙钛矿 活性层 透明电极 semi-transparent perovskite active layer transparent electrodes
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Aalto FI-00076, Finland
transparent electrodes graphene liquid exfoliation chemical vapor deposition (CVD) Frontiers of Optoelectronics
2020, 13(2): 91
Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China
随着光伏产业、平板显示技术的发展, 市场对于透明导电材料的需求量迅速增加。传统的透明导电材料氧化铟锡(ITO)面临着资源不足、脆性大的问题, 无法满足市场需求。铜纳米线透明电极导电性好、成本低、柔性好, 是一种有潜力的新一代透明导电材料。近年来, 铜纳米线的合成及其在透明导电领域的应用引起了研究人员的关注, 并取得显著的进展。本文从铜纳米线的合成方法、合成机理, 铜纳米线透明电极的制备方法及后处理手段, 铜纳米线透明电极在光伏器件、电加热元件、柔性可穿戴器件中的应用等方面的研究进展进行了阐述。并对铜纳米线研究及应用前景进行了展望。
Cu nanowires transparent electrodes controllable synthesis post-treatment photovoltaic devices heaters flexible and wearable devices review 铜纳米线 透明电极 可控合成 后处理 光伏器件 电加热元件 柔性可穿戴 综述
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
polymer solar cells ultrathin metal transparent electrodes seed layer anti-reflective layer Frontiers of Optoelectronics
2017, 10(4): 402
1 巢湖学院机械与电子工程学院, 安徽 合肥 238000
2 兰州理工大学理学院, 甘肃 兰州 730050
3 四川大学物理科学与技术学院, 四川 成都 610064
基于有限时域差分(FDTD)算法优化一类宽带光学透射的金属网格透明电极。设计的Ag、Au 和Cu 网格阵列在可见光(Vis)波段的透射率约70%,近红外(NIR)波段的透射率约90%。为提高透明电极的效费比和工艺兼容性,选择Cu作为电极材料,并分析封装材料、Cu纳米带表面粗糙度和工艺误差对透射率的影响。结果表明采用高折射率封装材料和增加Cu纳米带的表面粗糙度可以分别增加NIR 和Vis波段的透射率,减小NIR 波段频带宽度;增加铜纳米带的误差宽度会降低Vis-NIR 波段透射特性和减小NIR 波段的频带宽度。在封装材料折射率不高于1.5,铜纳米带的表面均方根粗糙度不超过8 nm 和误差宽度不超过20 nm 时,优化的Cu网格阵列在Vis-NIR 波段有较好的透射特性,可作为透明电极应用到光电器件。
材料 金属透明电极 有限时域差分方法 宽带透射 Cu网孔阵列 光学学报
2015, 35(10): 1016001
上海交通大学 电子工程系 TFT-LCD关键材料与技术国家重点工程实验室, 上海 200240
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极, 在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现, 制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95 cm2/V·s, 开关比为4.53×105, 在正向偏压应力测试下, 阈值电压的漂移量为4.49 V。
薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓锌氧化物 thin film transistors transparent electrodes amorphous InGaZnO