作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第四十一研究所,山东 青岛 266555
针对近红外双色探测器在两种不同工作 波段的光谱响应曲线及暗电流,设计了一种基于近红外双色探 测器的信号采集系统及采集方法。该系统具有多种电流转电压 档位、电压放大档位和滤波电路带宽档位,能够快速进行信号 放大和带宽控制;同时通过数字/模拟转换器(D/A)为四级放大电 路提供模拟调零信号,可有效消除由光学系统的杂散光和探测器 自身的暗电流引起的噪声。该系统具有速率快、噪声低和分辨率 高等特点。通过使用这种信号采集系统,光学系统的信噪比、动态 范围、最小可测功率等指标参数都能得到提高。
近红外 双色探测器 信号采集 光谱响应 near infrared two-color detector signal acquisition spectral response 
红外
2017, 38(6): 1
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
报道了激光束诱导电流(LBIC)在碲镉汞(HgCdTe)红外双色探测器工艺检测中的应用.通过LBIC测试,发现p型HgCdTe材料由B+离子注入损伤形成的n区面积大于其注入面积,并获得n区横向的精确分布.同时,运用LBIC,获得了p型HgCdTe材料因不同能量的等离子体干法刻蚀诱导的刻蚀台面侧壁工艺损伤形成的n区横向分布,并得到了n区横向宽度与等离子体能量的关系.
激光束诱导电流 干法刻蚀 双色探测器 LBIC HgCdTe dry etching HgCdTe two-color detector 
红外与毫米波学报
2005, 24(6): 459
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
首次报道了集成中波1/中波2(MW1/MW2)的HgCdTe红外双色探测器的材料生长、器件制备及其性能.采用分子束外延(MBE)技术,生长了p-p-P-N型Hg1-xCdxTe多层异质结材料.通过B+注入、台面腐蚀、爬坡金属化、台面侧向钝化及互连等工艺,得到了80元的原理型HgCdTe红外双色探测器.纵向上背靠背的2个光电二极管分别有电极输出,确保了空间上同步和时间上同时的探测,并能独立地选择最佳工作偏压.它适于常规的背照射工作方式,且有大的空间填充因子.在液氮温度下,2个波段的光电二极管截止波长λc分别为3.04μm和5.74μm,对应的R0A值为3.85×105Ωcm2和3.02×102 Ωcm2.测得MW1、MW2的峰值探测率Dλp*分别为1.57×1011cmHz1/2/W和5.63×1010cmHz1/2/W.得到2个波段的光谱响应,且MW2光电二极管的光谱串音为0.46%,MW1光电二极管的光谱串音为6.34%.
双色探测器列阵 光谱响应 峰值探测率 HgCdTe HgCdTe two-color detector arrays spectral response peak detectivity 
红外与毫米波学报
2004, 23(3): 193

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