1 西安理工大学应用物理系,陕西,西安,710048
2 中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室,陕西,西安,710068
报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.
光电导开关 超快电脉冲 脉冲功率技术 photoconductive switch ultrafast electrical pulse high power pulse technology
Laboratory of Laser Technology, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Academia Sinica, Shanghai 201800
Chinese Journal of Lasers B
1993, 2(4): 313
