在基于机器视觉的原棉异纤维检测系统中，选择能满足检测系统的光源和照明方案是提高系统检测率和检出率的关键，使检测对象尽可能多地显现出特征信息。选用单芯片InGaN(蓝)/YAG荧光粉型白光LED作为照明光源，采用理论计算和非成像光学设计的方法对LED阵列的光照度分布进行了研究，并根据原棉异纤维检测系统对光源光照度的具体要求，设计出了LED正方形阵列和三角形阵列两种排列方式，并利用TracePro软件对两种阵列形式进行仿真。通过比较两种阵列形式光照度分布的结果，最终选用高光照度且均匀性好的LED三角形阵列作为原棉异纤维检测系统的照明光源，满足了机器视觉成像的要求。

传统的激光器作为光源对Al2O3陶瓷进行划线时，线宽满足不了精密划线的加工要求。现采用光纤激光作为光源对Al2O3陶瓷进行了划线的实验研究，分析了不同工艺参数对划线效果的影响。在功率100W，占空比30％，速度2400mm/min，频率800Hz，气压0.15Mpa的参数下，获得了20um的划线宽度、0.22mm的划线深度的划线样品。结合实际加工要求，给出了最佳的工艺参数，并提出了后续尚待改进的问题。

使用两块长度各为65 mm的MgO∶LiNbO3和无掺杂LiNbO3晶体,以1064nm的Q开关Nd∶YAG激光器作为抽运光源,在12 mJ/pulse的抽运光能量下得到频率范围为0.34～2.90 THz的电磁辐射。分析表明,激光入射使LiNbO3晶体中具有电磁特性的横光学声子可以和入射光子形成耦合场量子。作为一种电磁特性的元激发,LiNbO3晶体的耦合场量子的辐射场频率覆盖部分太赫兹频段范围,并可通过耦合场量子受激拉曼散射过程辐射THz波。根据耦合场量子辐射理论,通过分析晶体的耦合场量子色散特性曲线,可以确定该晶体能否辐射THz波及其带宽范围。

分别就光学技术和电子学技术产生太赫兹波的方法，介绍其产生原理、研发现状和最新进展，重点介绍了光电导、光整流、参量振荡器和太赫兹量子级联激光器。

报道了以MgO∶LiNbO3为非线性光学介质,采用85 mm长的法布里珀罗单谐振腔结构形式的光学参变振荡器,产生THz电磁波的实验结果。使用波长为1064 nm的Nd∶YAG Q开关脉冲激光器作为抽运光源,通过改变入射角度使参变振荡器的相位匹配条件发生变化。采用Si真空量热器,并利用THz波干涉测量仪;或通过测量闲频光的频率对产生的THz波频率进行了测量。实验表明该参变振荡器输出频率调谐范围为0.9～3.0 THz。在抽运光能量为20 mJ/pulse,脉冲宽度16 ns,重复频率50 Hz条件下得到输出峰值位于1.2 THz,能量为102.5 PJ/pulse的THz波输出。通过引入Si棱镜阵列减小了THz波在晶体中的全反射,从而提高THz波的能量输出。使用金属缝隙探测器,对辐射的THz波的波束水平方向空间分布进行了测量,分析了Si棱镜阵列的衍射效应对THz波束空间分布的影响。

报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为3mm的横向半绝缘GaAs 光导开关的实验结果.对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异,这种较大的差异造成开关对激光脉冲的超快响应.

报道了用1064nm激光脉冲触发电极间隙为8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果.在触发光能为1.9mJ,偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式,结果表明半绝缘GaAs光电导开关可以吸收1064nm波长的激光脉冲.讨论了半绝缘GaAs材料对1064nm激光脉冲的非本征吸收机制,指出GaAs材料禁带内的EL2深能级和双光子吸收对半绝缘GaAs吸收1064nm光脉冲起主导作用.

报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果.使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关, 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式.用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形.结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲.

报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘GaAs光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达30kV.分别用ns,ps和fs激光脉冲触发开关的测试表明,开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于200ps,脉宽达亚ns;在偏置电压2000伏,光脉冲宽度8ns,能量1.2mJ的触发条件下,峰值电流达560A.用重复频率为76MHz和108Hz的光脉冲序列触发开关也获得清晰的电流脉冲序列.