结合理论求解、仿真分析与实验验证，确定了影响脉冲变压器型触发器输出前沿的主要因素，并研制了一台能可靠触发真空沿面闪络开关导通的快前沿固态触发器。研究结果表明：影响触发器输出脉冲前沿的关键因素为脉冲变压器漏感、匝数比和半导体开关开通速度；不同绕制方式的脉冲变压器漏感差异很大，最小漏感绕法的变压器漏感值低1个数量级；选用开通速度优于15 ns的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）、绕制低漏感（小于0.5 μH）的脉冲变压器，实现了前沿为20.4 ns（10%～90%）、幅值为16.5 kV的快前沿输出；控制SiC MOSFET的驱动脉宽在35～55 ns变化可以控制触发电流峰值在35～55 A范围内变化。

为研究电脉冲触发真空沿面闪络开关在中、小通流条件下的适用性，基于直接镀铜基板工艺制作了真空沿面闪络开关样件并搭建了开关工作特性测试实验平台。通过实验手段初步研究了开关耐压特性、触发工作特性（触发延时、抖动、工作范围）和寿命特性。实验结果表明：有效间隙7.2 mm的真空沿面闪络开关直流耐压约40 kV；开关在18 kV工作电压下触发导通延时89.9 ns，抖动13.1 ns，开关在1～18 kV工作电压范围内均能可靠触发导通；连续考核约2300次后开关各项特性无明显变化。

绝缘问题是高电压、高场强器件和设备中不可回避的问题，是决定器件、设备运行参数和稳定性的重要因素。针对一台直线感应加速器调试中出现的加速腔绝缘环在带束负载情况下的真空沿面闪络现象，进行了分析和研究。分析表明，在排除设计、材料、加工、洁净和真空度等常规异常因素后，导致绝缘环真空沿面闪络的可能因素是电子在绝缘环表面的吸附和累积，绝缘环上累积的电子来源和加速器中加速、传输的电子束的丢失有关。从加速腔工作状态出发，分析绝缘环表面积累电荷和丢失电子束的相关途径，进而提出相应的技术措施，以提高加速腔运行稳定性。