利用矢量角谱法和稳相法，研究了涡旋洛伦兹高斯光束的远场矢量结构特征，导出了横电项(TE项)和横磁项(TM项)远场电磁场和相应能流的解析表达式。通过相应的数值计算，分析了拓扑电荷数对涡旋洛伦兹高斯光束及其矢量结构项远场能流分布的影响。TE项由位于竖直方向的2瓣或3瓣组成，TM项可由TE项旋转90°得到。涡旋洛伦兹高斯光束在拓扑电荷数小时内部中空，外部亮环均匀分布。增大拓扑电荷数，涡旋洛伦兹高斯光束外部亮环上的能流呈起伏分布，内部变化相对复杂。涡旋洛伦兹高斯光束及其矢量结构项的光斑尺寸随拓扑电荷数的增大而增大，但会饱和。研究显示，涡旋洛伦兹高斯光束在实际应用时拓扑电荷数不宜过大。

线偏振高斯光束经圆形光阑衍射后,其远场可表示成互相正交的横电(TE)项和横磁(TM)项之和。利用TE项和TM项的远场能流分布，导出了高斯衍射光束的TE项和TM项远场功率的解析表达式，由此可度量TE项和TM项在远场占总功率的比例。基于能流二阶矩的定义，给出了高斯衍射光束、TE项和TM项远场发散角的解析式以及三者远场发散角间的关系通式，重点分析了f参数和截取参数对远场发散角的影响。结果表明:随着f参数的增大，远场发散角先增大后趋向于各自的饱和值。截取参数对远场发散角的影响与f参数相关，当f参数较大时，截取参数对远场发散角的影响不明显；当f参数适中时，随着截取参数的增大，远场发散角先减小后趋向于各自的最小值；但当f参数较小时，高斯衍射光束和TM项二者的远场发散角出现一定的波动性。

直接以麦克斯韦方程组的解表征拉盖尔-高斯光束。基于麦克斯韦方程组解的矢量角谱表述和电磁光束的矢量结构理论, 利用一些数学技巧导出了拉盖尔-高斯光束的TE项和TM项在近场的解析表达式。利用所导出的公式, 在近场描绘了拉盖尔-高斯光束的TE项、TM项及整个光束的光强分布。并对角度依赖分别为余弦和正弦关系的拉盖尔-高斯光束的矢量结构进行了比较, 结果显示两者整个光束的光斑完全相似, 唯一的区别是子瓣的空间方位不同且两者的内部矢量结构完全不相同。