广西师范大学 电子工程学院，广西 桂林 541004
设计了一款快速启动、高稳定性的实用型带隙基准电压源。基准源电路基于110?nm的CMOS标准工艺实现，使用Cadence软件进行仿真。仿真表明，在室温下，电源电压为3.3 V时，输出基准电压为1.2?V； 在-40?℃~85?℃范围内温度漂移系数为33?ppm/℃；电路启动时间为0.5?μs；电源电压抑制比在低频时达到-61?dB；功耗为0.967?mW；版图面积为50?μm×180?μm。该电路结构简单，易于集成，可应用于高速、高精 确度的数模转换器(DAC)。
带隙基准源 互补金属氧化物半导体 温度系数 电源抑制比 bandgap reference Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) temperature coefficient voltage suppression ratio 太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(2): 345
