采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件, 利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征, 并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明, 不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm 和2.5 μm, 较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流, 器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线, 获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.
中波碲镉汞 雪崩光电二极管 增益 midium wave (MW) HgCdTe avalanche photodiode gain C-V C-V 红外与毫米波学报
2019, 38(2): 02175
HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响, 表面 /界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延( LPE)生长的中波 HgCdTe薄膜进行表面处理后, 使用 CdTe/ZnS复合钝化技术进行表面钝化, 制备了相应的 MIS器件并进行器件 C-V测试。结果表明, HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正, 面密度为 2.1×1011 cm-2, 最低快界面态密度为 1.43×1011 cm-2·eV-1, 在 10 V栅压极值下慢界面态密度为 4.75×1011 cm-2, 较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。
中波碲镉汞 表面钝化 MIS器件 MW HgCdTe surface passivation MIS device C-V C-V
采用液相外延（LPE）生长的中波HgCdTe 薄膜，基于B 离子注入n-on-p 平面结技术，制备了LBIC 测试结构和I-V 测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC 测试结果表明，HgCdTe pn 结实际结区尺寸扩展4～5 μm，这主要与光刻、B 离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V 和I-V 特性研究表明，所制备的HgCdTe pn 结不是突变结也不是线性缓变结。中波HgCdTe 二极管器件最高动态阻抗大于30 GΩ，器件优值R0A 高达1.21×105 Ωcm2，表现出较好的器件性能。
中波碲镉汞 光电二极管 pn 结 MW HgCdTe photodiode pn junction LBIC LBIC
