作者单位
摘要
1 上海航天控制技术研究所,上海 201109
2 中国航天科技集团有限公司 红外探测技术中心,上海 201109
为了能有效评估中长波复合探测识别低特征水面飞行器目标的优势,通过建立某飞行器不同探测角度红外辐射模型,采用光线追迹结合反向蒙特卡洛法计算获得了其不同探测角度下中长波红外的辐射强度。同时基于侧迎头辐射强度计算结果,对海洋环境降雨、海雾等特殊条件下中长波探测差异进行了对比分析,并且通过实际外场复杂海背景下弱小目标探测试验等手段,获取了不同距离下中长波探测数据,统计分析了目标与海背景的等效温差变化。通过上述工作统计分析了中波和长波波段在不同气候海背景条件下的优势和劣势,充分验证了中长波复合探测技术的优势。
水面飞行器 中长波红外 高温高湿 作用距离 surface aircraft medium and long wave high temperature and high humidity operation range 
红外与激光工程
2023, 52(7): 20220807
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学 可调谐激光技术国家级重点实验室,黑龙江 哈尔滨 150001
2 μm、中波红外3~5 μm及长波红外8~12 μm波段的激光处于大气传输窗口,在激光医疗、环境监测、激光雷达、化学遥感和红外对抗等领域有着非常广阔的应用前景。基于非线性频率转换技术,采用非线性光学晶体在实现中长波红外固体激光输出方面具有结构简单、宽调谐和高功率等技术优势。尤其是使用2 μm单掺Ho固体激光器泵浦ZnGeP2晶体,在3~5 μm和8~10 μm中长波红外输出中性能优异。在平均输出功率方面,目前可达到102 W@3~5 μm、12.6 W@8.2 μm以及3.5 W@9.8 μm的输出水平,光束质量M2均小于3,其中中波的光光转换效率可达60%。文中针对2 μm单掺Ho固体激光器及ZnGeP2晶体在中长波输出方面进行了总结。
中长波红外 非线性光学 固体激光器 2 μm 2 μm middle-long-wave infrared nonlinear optics solid laser 
红外与激光工程
2020, 49(12): 20201056
作者单位
摘要
哈尔滨工业大学, 可调谐激光技术国家级重点实验室, 哈尔滨 150001
中波红外3~5 μm波段以及长波红外8~12 μm波段的激光处于大气传输窗口, 在激光成像、环境监测、激光雷达、激光医疗、化学遥感和红外对抗等领域有着非常广阔的应用前景。基于非线性光学晶体, 采用光学非线性频率变换技术在实现中长波红外固体激光输出方面具有明显的技术优势。该方法激光器结构简单, 且晶体本身并不参与能量交换, 因而没有量子亏损, 从而产热很少。同时具有单色性好、宽调谐、高功率等优点。本文针对常用以及新型非线性光学晶体, 对其应用于中长波红外固体激光器的研究进展做了详细的总结。
中长波红外激光 固体激光器 非线性光学晶体 光学非线性频率变换技术 mid- and long-wave infrared laser solid-state laser nonlinear optical crystal optical nonlinear frequency conversion technology 
人工晶体学报
2020, 49(8): 1379
作者单位
摘要
1 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
2 西安交通大学 金属材料强度国家重点实验室, 陕西 西安 710049
采用微加工工艺在Si衬底上制备了微柱和微锥阵列, 结合光学建模分析, 研究了结构参数对中长波(2.5~9 μm)红外光反射率的影响规律。使用严格耦合波分析方法(RCWA)计算的微结构反射光衍射效率与傅里叶红外变换光谱仪(FTIR)测试的反射率结果吻合较好。研究结果表明, Si基微结构对TM及TE偏振光均有良好的红外光减反特性, 微锥结构具有更好的减反效果, 2.5~6.5 μm中红外偏振光的反射率低至2%, 同时表现出良好的宽谱与广角度减反特性。
Si基微结构 中长波红外 偏振 Si based microstructures RCWA RCWA mid-and long-wavelength infrared polarizations 
红外与激光工程
2017, 46(4): 0404001
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
将少量氮原子加入III-V族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用 于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
稀氮III-V族半导体 中长波红外器件 dilute nitride III-V semiconductor InAsN InAsN InSbN InSbN medium-long wave infrared photoelectric device 
红外
2012, 33(2): 1
作者单位
摘要
浙江大学 信息与电子工程学系,杭州 310027
阐述了中长波红外光波导器件的设计理念和用途。在介绍该领域的研究成果和最新进展的基础上,以应用在波长为10.6μm的硅基光波导器件为例介绍了实现低损耗波导的方法。
中长波红外 低损耗 光波导器件 硅基 集成光学 mid/long-wave infrared low loss waveguided components silicon-based integrated optics 
半导体光电
2011, 32(1): 6

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