利用可调谐二极管激光吸收光谱技术对低气压氩气介质阻挡放电等离子体进行诊断, 重点考察了Ar亚稳态1s5和1s3的数密度和气体温度随放电电压, 气压, 流量, 极板间距, 以及随N2配比的变化情况。 实验基于朗伯-比尔（Lambert-Beer)定律, 通过计算吸收谱线的吸收峰面积求取Ar亚稳态的数密度, 同时对谱线进行Voigt拟合得到多普勒展宽, 进而求出气体温度。 Ar亚稳态主要由电子碰撞产生, 但同时电子也会碰撞亚稳态发生猝灭作用, 从而使数密度减少; 气体温度则与等离子体的实际功率、 电子的状态以及粒子之间的碰撞有关。 实验结果表明在本实验条件范围内, Ar亚稳态数密度和气体温度随放电电压和流量的增大都先增大, 之后逐渐趋于平缓, 但两者随流量的变化幅度都较之随放电电压的小, 增长较缓慢。 随气压的升高, Ar亚稳态数密度和气体温度先增加并达到一个极大值, 而之后逐渐降低。 实验数据表明, 气压对谱线展宽有较明显的影响作用。 适当增大极板间距, Ar亚稳态数密度明显降低, 但气体温度却有所升高。 N2的加入对亚稳态有很强的猝灭作用, 05%的N2就会使数密度下降50%, 但随着N2浓度的进一步增大, 其数密度不再明显降低。

用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法, 以硅烷为源气体, 在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节, 在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明, 在412 nm处出现SiH*(A2Δ→X2Π 0-0)特征峰, 证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V, 当占空比从0.162增大到0.864时, 薄膜的红外光谱显示Si—O—Si在1 070 cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强, 而930 cm-1的Si—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加, Si—O—Si键的结合越来越明显。