实验证明薄膜体声波谐振器(FBAR)用于检测伽马辐照是可行的,但未对敏感机理进行深入研究。针对这一问题,根据两种不同的FBAR结构,提出了不同机理来解释FBAR在伽马辐照下谐振频率偏移的原因。其中结构一FBAR为四层叠层结构(金属层-压电层-氧化层-金属层),伽马辐照之后,会在辐照敏感层(氧化层)形成一个电压,相当于给压电层施加了一个直流电压,从而使谐振频率发生偏移; 结构二与结构一不同的是,结构二FBAR在氧化层和压电层之间有一半导体层,辐照之后在氧化层中形成的电压改变了半导体的表面势,使半导体空间电荷层电容发生改变,从而改变谐振频率。通过仿真得到两种不同机理的结果,并与相关文献的测试结果对比,发现频率偏移的趋势和频率偏移量的数量级是相同的,因此提出来的两种机理是可行的。

为了推进掺铒光纤抗辐射性能的研究, 全面掌握掺铒光纤性能在辐照条件下的变化规律。 基于色心模型对掺铒光纤的辐照作用机理进行了分析, 并据此对掺铒光纤在辐照中的性能变化趋势进行了预测推断。 然后根据掺铒光纤的工作原理和应用特性, 在伽马辐照条件下对两种不同型号(EDF-L-980和MP980)掺铒光纤的980 nm波段损耗谱、 1 530 nm波段损耗谱以及发射光谱的特性进行了在线实时监测, 并在辐照停止后进行了恢复测量。 研究表明, 在辐照中两种掺铒光纤的性能变化趋势一致。 在损耗谱方面, 980 nm波段和1 530 nm波段的损耗随辐照单调增加, 980 nm吸收峰与1 530 nm吸收峰处的损耗与辐照剂量呈近似线性关系; 在发射光谱方面, 发射光谱强度随辐照单调降低, 光谱能量向长波方向转移, 平均波长和光谱带宽大幅增加, 1 530 nm发射峰处的发光强度与辐照剂量也呈近似线性关系。 辐照停止后, 掺铒光纤体现出了一定的恢复能力, 但是各项参数的恢复均不到40%。 各项实验结果与理论模型和分析预测匹配良好, 证明了辐照对掺铒光纤性能影响理论解释的合理性。

在模拟的空间环境试验中测试了锰钴镍型红外探测器的电阻值和低频噪声参量.采用钴-60源分别在10 rad(si)/s和0.1 rad(si)/s的剂量率下对两组样品累积辐照到总剂量150 krad(si), 结果表明：在0.1rad(si)/s剂量率下探测器低频噪声退化量远大于10 rad(si)/s剂量率下的低频噪声退化量.对第三组样品先后施加了三种热应力, 即无偏热应力(40℃, 保持4h), 加偏热应力(偏置电压±15 V, 40℃, 保持600 h)和无偏热循环(－40℃到40℃, 温度变化率1℃/s, 峰值温度保持1 h, 20个循环), 结果表明：热应力试验中, 样品电阻值变化规律相对一致, 但低频噪声的退化趋势存在明显差异, 且失效探测器表现为低频噪声突然增大.分析表明, 无偏热应力与加偏热应力引起的低频噪声退化来源于电阻薄片内部的缺陷, 而热循环导致的低频噪声退化来源于连接Pt引线焊点接触处的潜在缺陷.研究发现噪声系数是锰钴镍型红外探测器低频噪声退化的敏感参量, 热应力与热循环则可以有效甄别该类器件噪声退化.