利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10 2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到10 4,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。