广东工业大学 物理与光电工程学院,广东 广州 510006
描述了激光线宽对光刻过程的影响模型建立过程中所使用的方法。成像透镜产生的色差结合实际激光光谱可以把激光线宽的影响包括在光刻模拟的模型中,使用PROLITH软件模拟了线宽对空间像的临界尺寸、焦深、曝光宽容度的影响,孤立线和半孤立线条尺寸在240nm到140nm的范围内完成研究。实验结果表明,光刻过程中增加激光线宽使空间成像质量变差,较大的线宽也导致了曝光宽容度的损失。
准分子激光 线宽 色差 光刻模拟 excimer laser linewidth chromatic aberrations lithography simulation
1 中国科学技术大学 精密机械与精密仪器系,合肥 230026
2 国家同步辐射实验室,合肥 230029
基于DILL 经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。
光刻模拟 SU8 胶 厚胶轮廓 曝光模型 lithography simulation SU-8 photoresist figure of thick resist exposure model
建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的物理模型，并利用傅里叶模方法模拟计算和分析了其内部衍射光场分布。该方法考虑了其界面反射、透射及光刻胶复折射率在空间上的缓慢变化对衍射光场的影响，采用该方法模拟光刻胶内衍射光场具有数值计算结果准确、计算速度快的优点。对厚层光刻胶折射率在几种特殊分布情况下衍射光场分布的数值模拟表明，衍射光场与其复折射率的空间分布有关。由于厚层光刻胶折射率在空间上呈缓慢变化的特点，为降低其数值计算量和编程难度，可以将厚层光刻胶近似为折射率随曝光时间变化的光栅。
物理光学 矢量衍射理论 傅里叶模方法 厚层光刻胶 衍射光场 光刻模拟
