为实现多通道光滤波功能，设计对称嵌套式一维光子晶体量子阱(BAB)_k (AB)_m (BAB)_n (BA)_m (BAB)_k ，采用传输矩阵法计算透射谱，分析了阱的周期数及折射率对透射峰的影响。结果表明，量子阱主禁带内出现三组透射峰，由于外阱(AB)_m 和(BA)_m 之间的相互耦合，使第2 组和第3 组透射峰具有双线结构，透射峰的数目、位置及双线之间的间隔受阱的周期数和折射率调控。禁带内总计有2m+n+3(m 取奇数)或2m+n+1(m 取偶数)条窄透射峰。无论是内阱还是外阱的周期数增大，双线间距都会减小，且透射峰都向中心频率靠近。随着高折射率介质的折射率增大，双线间距减小，透射峰远离中心频率；随着低折射率介质的折射率增大，双线间距增大，双线透射峰向中心频率靠近。这些特性对多通道光滤波器的设计具有一定的指导意义。

通过数值计算模拟的方法，研究激活性杂质对双重势垒光量子阱滤波器特性的调制。结果表明：无论在外垒层、内垒层还是阱层介质中掺入激活性杂质，光量子阱滤波器各通道均出现光增益放大和带宽变窄现象，而且存在不同光增益极大值和恒定带宽极小值现象。增益倍数和带宽对内垒层掺杂的响应相对外垒层的灵敏，而对多层介质掺杂的响应则比单介质层掺杂的灵敏，但不同的通道对掺杂的响应灵敏度不同。阱层掺入激活杂质时，阱中心通道对各介质层掺杂的响应灵敏度一样，但短波通道对多层介质掺杂响应比单层介质掺杂灵敏，而长波通道则相反；无论是外垒层、内垒层或阱层，对激活掺杂响应均存在相等的极限值。双重势垒光量子阱滤波器对激活性杂质的响应特性为光子晶体设计窄带宽、高品质的光学滤波和高倍数的光学放大器件提供了指导。

利用传输矩阵法理论, 研究了双重势垒一维光子晶体量子阱(AB)k(CD)m(DCD)n(DC)m(BA)k的内部局域电场.结果表明: 双重势垒光量子阱内部分布着很强的局域电场, 且越靠近阱中心, 局域电场越强；双重势垒光量子阱垒层特别是内垒层和外垒层厚度同时增大时, 内部局域电场快速增强, 而且阱中心增强最明显；双重势垒光量子阱阱层宽度增大时, 越靠近阱中心, 局域电场越强, 但阱宽按偶数倍增大时阱中心的局域电场不变并保持恒定极大值, 而阱宽按奇数倍增大到一定数值后, 光量子阱内部局域电场则趋于阱宽按偶数倍增大时的局域电场恒定极大值.该研究可为分析光量子势阱的量子化效应机理和分立透射谱的形成内因, 以及量子光学产品的实际设计等提供指导.

利用传输矩阵法，研究了垒层周期不对称度对光量子阱透射谱的影响。结果表明：当垒层周期不对称度为零时，光量子阱透射峰随着垒层周期数的增大而变得精细，但其透射率均为100%不变；当垒层周期不对称度为不等于零的恒定值时，光量子阱透射峰的透射率低于100%，但随着垒层周期数的增大，透射峰仅变得精细而透射率不变；光量子阱透射峰的透射率随着不对称度增大而下降，而且不对称度越大，透射率下降越快，同时透射峰变窄的速度也越快。垒层周期不对称度对光量子阱透射谱的影响规律可为光子晶体模型的构造和设计制备等提供方法和依据。

利用传输矩阵法，研究单势垒、双重势垒一维光子晶体量子阱滤波器的滤波品质，结果表明，光子晶体量子阱滤波器的滤波品质对垒层介质折射率的响应灵敏：垒层介质折射率越大或垒、阱层介质折射率和的比值越大，单势垒光子晶体量子阱滤波器的滤波品质越高；内垒层介质折射率和，或外垒层介质折射率和与阱层介质折射率和的比值越大，特别是内、外垒层介质折射率和与阱层介质折射率和的比值越大，双重势垒光子晶体量子阱滤波器的滤波品质越高；随着垒、阱层介质折射率和的比值增大，双重势垒光子晶体量子阱滤波器的滤波品质提高的速度比单势垒光子晶体量子阱快。这些特性，对光子晶体量子阱的理论研究和新型高品质量子光学滤波器件的实际设计等，均具有一定的指导意义。