1 北京师范大学物理系,北京 100875
2 装甲兵工程学院基础部, 北京 100072
3 北京师范大学分析测试中心, 北京 100875
用光致发光激发(PLE)谱分析吸收谱的亚结构。实验样品是共熔法制备的CdSeS量子点玻璃,量子点的生长时间分别为2 h和4 h,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析得到样品中量子点的平均直径分别为3.6 nm和3.8 nm。在室温下对样品进行了光吸收谱和光致发光激发谱研究。光吸收谱显示了量子尺寸效应,光致发光激发谱中低能端有两个明显的峰。考虑价带简并以及电子与空穴之间的相互作用,通过理论分析和数值计算,得到1S3/2-1Se和2S3/2-1Se的跃迁能量及其随量子点半径的变化,由此确认光致发光激发谱中的两个峰分别为1S3/2-1Se和2S3/2-1Se跃迁。
光谱学 量子点 吸收谱亚结构 光致发光激发谱
中山大学物理系光电材料与技术国家重点实验室, 广州 510275
由于生长工艺的不完善,非掺杂GaN薄膜中通常存在未知的杂质和缺陷,产生与这些未知杂质和缺陷能级相关的发光。报道了非掺杂GaN薄膜的692 nm红色发光,并研究了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的发射机理;利用作者提出的吸收归一化光致发光激发光谱,直接测量出了非掺杂GaN薄膜的蓝、红色发光的初始态能级,确定蓝色发光为施主价带跃迁复合,而红色发光为施主受主跃迁复合;给出了黄、蓝、红光的发射模型。所取得的结果对于确定未知杂质和缺陷的种类具有重要的参考价值。
发光学 光致发光 半导体薄膜 发光机理 蓝和红色发光 吸收归一化光致发光激发谱
