1064 nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性, 在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064 nm DBR半导体激光器, 利用金属有机化合物气相沉积技术生长出InGaAs应变量子阱半导体激光器材料, 并制备出腔长为1200 μm的脊型波导1064 nm DBR半导体激光器。当注入电流为70 mA时, 室温下该激光器的连续输出功率可达到7 mW, 3 dB光谱线宽为0.12 nm。

为了获得适用于非线性差频法产生太赫兹波的双波长半导体激光器，设计并利用普通光刻技术制备了一种双波长高阶光栅分布布拉格反射(DBR)激光器。这种DBR 激光器是在条宽为100 μm 的光波导上，制备了一组周期为9.5 μm，沟槽宽度为1.36 μm，光栅长度为100 μm 的高阶光栅结构，实现高功率连续双波长激射，短波长光模式的边模抑制比大于35 dB，长波长光模式的边模抑制比为39 dB，光谱半峰全宽均为0.04 nm，双波长间隔大于0.58 nm，适用于光混频产生太赫兹波。注入电流1.2 A 时，实现了单边88 mW 的高功率激射。提出了一种可实现高功率双波长激光输出的高阶光栅DBR 激光器结构，为双波长半导体激光器的大规模生产提供了一种新方法。

报道了一种新型的基于光纤光栅外腔分布布拉格反射激光器的波长转换技术。获得了8nm的波长转换间隔;对注入信号的灵敏度、转换信号之间的反相特性等进行了测量研究。讨论了波长转换的机理和该技术的特点和优点。