开展了动态气体锁抑制率的实验研究，设计了一套极紫外真空动态气体锁实验验证系统；进行了真空抽气系统的详细设计，形成了具有实际可操作性的真空系统的最终布局；指出了该实验验证系统的验证方法；进行了动态气体锁实验，并对实验结果进行了分析，验证了动态气体锁理论模型和仿真结果的正确性。实验研究结果表明，当污染气体放气率恒定时，增加清洁气体总流量将使动态气体锁抑制率逐步增加；同等条件下动态气体锁抑制率不随污染气体放气率的改变而改变；当清洁气体总流量和污染气体放气率都恒定时，动态气体锁抑制率随清洁气体相对分子质量的增加而缓慢增加。该动态气体锁抑制率实验研究结果，能够为极紫外光刻机动态气体锁的研制提供实验依据。

以清洁气体种类和流量以及污染气体放气率为变量, 进行了单组分清洁气体的动态气体锁(DGL)流场仿真, 并以混合清洁气体的体积比为变量进行了多组分清洁气体DGL流场仿真。仿真结果表明, DGL抑制率随清洁气体流量和分子量的增加而增加, 但与污染气体放气率的变化无关。对于多组分清洁气体, 当大分子量清洁气体的体积分数增加时,DGL抑制率近似不变。在实际工程中建议以氢气和氩气的混合气体作为DGL的清洁气体。当清洁气体流量为6.5 Pa·m3·s-1时, 约25%的清洁气体流入硅片室, DGL抑制率约为75%。该仿真结果为研制极紫外光刻机DGL提供了依据。

从理论上系统性地研究了动态气体锁抑制率，提出了动态气体锁理论分析模型。通过理论分析推导出单组分和多组分清洁气体在等截面或者变截面条件下的动态气体锁抑制率解析表达式，并对单组分清洁气体在等截面和变截面条件下的动态气体锁抑制率进行了比较。研究结果表明，当抑制率为85%以上时，可以近似地使用等截面假设来计算动态气体锁抑制率，且应以清洁气体出口处截面面积作为动态气体锁平均截面面积；动态气体锁抑制率与动态气体锁结构以及清洁气体相关量值有关，当给定动态气体锁结构和扩散系数时，动态气体锁抑制率随着向硅片台腔室扩散的气体体积流量的增大而增大。该动态气体锁抑制率理论研究体系，能够为极紫外（EUV）光刻机动态气体锁的研制提供理论依据。