针对极紫外(EUV)光刻机工作过程中，多层膜反射镜表面沉积碳污染造成的反射率下降问题展开研究，讨论了多层膜反射镜表面碳污染清洗方法。首先描述了在EUV曝光过程中多层膜表面的碳污染形成过程，简单阐述了碳污染对多层膜反射镜的危害。然后从清洗机理、速率以及效果等方面详细描述了多种EUV多层膜表面碳污染清洗方法，分析对比了各清洗技术在清洗速率和效果等方面的优缺点。分析表明: 离子体氧和活化氧清洗速率相差不多，可达到2 nm/min，但清洗过程中容易造成表面氧化; 等离子体氢和原子氢的清洗速率相对较慢，一般在0.37 nm/min左右，但清洗过程中不易产生氧化。最后针对不同方法应用于在线清洗EUV多层膜反射镜过程中将遇到的问题和难点进行了讨论。

从理论上系统性地研究了动态气体锁抑制率，提出了动态气体锁理论分析模型。通过理论分析推导出单组分和多组分清洁气体在等截面或者变截面条件下的动态气体锁抑制率解析表达式，并对单组分清洁气体在等截面和变截面条件下的动态气体锁抑制率进行了比较。研究结果表明，当抑制率为85%以上时，可以近似地使用等截面假设来计算动态气体锁抑制率，且应以清洁气体出口处截面面积作为动态气体锁平均截面面积；动态气体锁抑制率与动态气体锁结构以及清洁气体相关量值有关，当给定动态气体锁结构和扩散系数时，动态气体锁抑制率随着向硅片台腔室扩散的气体体积流量的增大而增大。该动态气体锁抑制率理论研究体系，能够为极紫外（EUV）光刻机动态气体锁的研制提供理论依据。