浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室，杭州 310027
提出了一种光刻胶厚度测量方法，即双光谱法。采用AZ4620 正型光刻胶甩胶于平面玻璃基片，以椭偏仪测量的结果为基准。通过双光谱法的测量，检测经过基片的出射光相对入射光强度的变化，达到测量胶厚的目的，结果偏差在2%以内。与传统的膜厚检测方法相比，有计算方法简便，可操作性强等优点。针对光刻胶有曝光的特性，双光谱法更适合于胶厚检测。
光刻 双光谱法 胶厚检测 lithography two-spectrum method thickness of photoresist
