中国工程物理研究院 核物理与化学研究所, 四川 绵阳 621900
采用一维无碰撞的动力学鞘层模型计算了脉冲等离子体在恒压引出时的等离子体鞘层厚度变化,分别对短脉冲和长脉冲放电时的离子源发射面演变进行了分析.结果表明:对于短脉冲放电,发射面位置的变化相对等离子体密度的变化存在一定时间的延迟;对于长脉冲的上升沿和直流放电的开启阶段,鞘层厚度变化的速度与离子初始速度相关,稳定后发射面的位置与离子初始速度和等离子体密度的乘积相关.
脉冲离子束 发射面 束流引出 鞘层厚度 pulsed ion beam plasma sheath edge beam extraction thickness of plasma sheath 强激光与粒子束
2015, 27(8): 085105
对电子发射面设置问题进行了研究，给出了底入射腔体系统电磁脉冲模拟中电子发射面的实现方法，分析了侧入射腔体系统电磁脉冲模拟中电子发射面的特点，并利用虚拟发射面的方法实现了侧入射腔体系统电磁脉冲模拟中电子发射面的设置。结果显示，利用该方法可以较简洁地实现腔体系统电磁脉冲模拟中平面和曲面电子发射面的设置，发射面电子发射参数和时序符合物理规律。
系统电磁脉冲 腔体系统电磁脉冲 电子 发射面 虚拟发射面 SGEMP cavity SGEMP electron emission boundary virtual emission surface 强激光与粒子束
2012, 24(12): 2915
1 电子科技大学,物理电子学院,成都,610054
2 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900
等离子体离子源发射面的位置和形状决定了离子束的传输特性,而发射面的位置与形状又取决于等离子体参数、引出电压、电极结构等,并自动地调节到某个平衡状态.介绍了一种2维情况下等离子体离子源发射面的位置与形状的理论计算方法,即非磁化等离子体不能扩散进入外加电场中大于一定临界值的区域,等离子体离子源发射面的位置及形状可以通过直接求解引出系统的Laplace方程而得到.利用基于PIC的OOPIC程序对不同引出结构的发射面位置及形状和引出束流进行了数值模拟,结果与理论计算的结果十分接近.
等离子体 离子源 离子发射面 数值模拟
