本文设计并制作了f_T > 400 GHz的In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管（InP HEMT）。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm，栅宽为2 × 50 μm。最大漏极电流I_DS.max为957 mA/mm，最大跨导g_m.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的V_DS = 0.7 V下，电流增益截止频率f_T达到了441 GHz，最大振荡频率f_max达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路，能够提供宽带射频接地，减小了级间串扰，利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示，最大增益在108 GHz处达到20.4 dB，在66~112.5 GHz范围内，小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处，实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。

针对航空发动机电子控制器（EEC）易受高强辐射场（HIRF）干扰问题，以ZF-M600型EEC为研究对象，通过三维电磁仿真软件CST对EEC建模并进行平面波辐照仿真，模拟HIRF对EEC的干扰效应，仿真结果表明，HIRF可以通过孔缝耦合进入EEC内部并在腔体内部产生谐振，谐振频率处电场强度显著增加。依据RTCA DO-160G在400 MHz~4 GHz开展EEC辐射敏感度试验，试验结果表明：EEC失效频点为2.40 GHz和3.48 GHz，敏感模块为模拟量输入输出模块，敏感现象为模拟量数据丢失。EEC失效频点与谐振频率接近, 说明EEC失效与腔体谐振有关，在EEC内部贴装吸波材料并进行仿真，分析吸波材料的放置方式和厚度对EEC谐振电磁干扰强度的影响，仿真结果表明，贴装吸波材料可以有效抑制谐振电磁干扰。

钙钛矿材料具有优异的光学性能和较高的载流子迁移率，成为空间太阳能电池领域极具竞争力的材料。然而空间粒子辐照容易改变材料结构和光学性能，导致其性能下降。为了探究电子辐照对CsPbBr₃材料结构与光学特性的影响规律，本文开展了CsPbBr₃材料电子辐照实验，利用高分辨透射电子显微镜表征CsPbBr₃纳米晶微观形貌，并通过X射线衍射分析和X射线光电子能谱分析进一步探究晶体结构的变化趋势。研究发现：电子辐照后CsPbBr₃纳米晶形貌变得粗糙，尺寸明显减小，并且纳米晶在高剂量电子辐照下变得紧凑，形成纳米团簇。其次，通过稳态紫外-可见吸收光谱图与光致发光谱图表征CsPbBr₃材料的光学性能，并利用第一性原理计算分析辐照后晶格膨胀带来的带隙变化。研究证明电子辐照后纳米晶颜色加深，影响钙钛矿的透光率，进而增强了样品对光的吸收性能，同时电子辐照能够分解CsPbBr₃纳米晶，特别是高剂量辐照后其光致发光性能降低了53.7%～78.6%。本文研究结果为钙钛矿纳米晶空间辐射损伤机理及应用研究提供了数据支撑。