为改善有机半导体器件的界面性能, 在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层。首先, 利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度。接着, 蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极, 构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件。最后, 研究了MIS器件的回滞效应及电性能。实验结果表明, 复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5, 大约1.4 nm。复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴, 但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状。复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象, 但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V, 界面陷阱电荷密度约为1.16×1012 cm-2。复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10-2 cm2/(V·s), 比单绝缘层提高了60%, 饱和电流提高了345%。基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能, 可应用到有机显示领域。

理论研究了将金属线和谐振环埋入非线性介质构成的具有三维周期性结构的超材料(metamaterial)的有效磁响应,推导了在裂环谐振器(SRR)间耦合条件下有效磁导率的表达式,计算了该种超材料在有SRR间耦合和无SRR间耦合条件下的非线性磁响应。结果表明,虽然二者的磁导率表达式非常相似,但两种条件下的有效磁响应特性仍然表现出明显不同的性质。此结果对于实现三维非线性超材料及优化其结构设计有参考意义。

研究了嵌入在非线性介质中的、由金属线和谐振环构成的具有二维周期性结构的异质材料的介电常数的非线性, 计算得到了该有效介电常数实部和虚部对外场变化的非线性响应。结果表明, 这种异质材料介电常数的实部对外磁场的响应具有回滞效应; 在一定条件下, 这种结构的属性可在右手材料、左手材料、电单负材料与磁单负材料之间转换, 且这种转换可用适当选择在某些特定频率范围内的外磁场强度的方式控制。这种现象可能被用于实现微波或光学开关器件。