1 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室, 江苏 南京 210016
2 杭州电子科技大学 教育部射频电路与系统重点实验室, 浙江 杭州 310017
给出了InP DHBT器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立, 并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术, 从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值, 并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正, 使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法, 采用0.5 μm InP DHBT工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325 GHz频段内吻合地很好.
在片测试结构 等效电路模型 参数提取 太赫兹 on-wafer test structures equivalent circuit models parameter extraction THz
1 专用集成电路国家级重点实验室, 河北 石家庄 050051
2 中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北 石家庄 050051
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构, 在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导(CPW)去嵌方法的二极管S参数在片测试结构, 并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试, 利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比, 并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。
太赫兹 肖特基二极管 小信号等效电路模型 在片测试结构 terahertz Schottky diodes small signal equivalent circuit model DUT structure 红外与激光工程
2016, 45(12): 1225004
