1 河南工业大学理学院, 河南 郑州 450001
2 郑州大学物理工程学院, 河南 郑州 450001
3 石家庄经济学院数理学院, 河北 石家庄 050031
利用传输矩阵法对二元复合缺陷光子晶体的光学特性进行了研究，重点讨论了光子晶体由二元复合缺陷结构过渡到复合光子晶体结构的过程及其光学特性的变化规律。研究表明，通过改变二元复合缺陷的结构和层数，可以控制禁带中缺陷模式的有无和调节其波长在禁带中的位置，并可使缺陷模恰好位于禁带中心波长处，由此可实现高性能的光学窄带滤波或光子晶体的禁带展宽。该研究结果可为二元复合缺陷光子晶体微腔的设计及其在滤波器、激光器等光学器件中的应用提供参考。
材料 光子晶体 传输矩阵 复合缺陷 光学特性 激光与光电子学进展
2015, 52(3): 031602
1 燕山大学 电气工程学院, 河北 秦皇岛 066004
2 燕山大学 测试计量技术及仪器河北省重点实验室, 河北 秦皇岛 066004
为了消除光子晶体环形腔滤波器的多模特性,通过在环形腔的输出负载通道中引入点缺陷,提出了一种复合缺陷光子晶体滤波器结构。将线缺陷作为主波导,将环形腔和点缺陷相结合作为负载波导来实现对特定波长的滤波。分析了光子晶体整体介质柱折射率、点缺陷的折射率以及点缺陷的尺寸对滤波器滤波特性的影响。令m=r-point/r,由数值模拟分析得出,当m取0~0.6时,B端口输出的滤波波长值没有发生改变,而在m∈[0.6,1.8]的合理区间范围内,若改变点缺陷介质柱半径,则可实现滤波器的单纵模滤波和滤波特性的可调谐,这将对多通道滤波器结构的设计提供有效的理论参考。
光子晶体 滤波器 点缺陷 环形腔 复合缺陷 photonic crystal filter point defect ring cavity composite defect
清华大学 深圳研究生院 深圳市信息科学与技术重点实验室，广东 深圳 518055
外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1600h前后的IV特性、理想因子以及量子效率、发光特性进行了测量研究，并结合非辐射复合缺陷的定量测量，分析验证了非辐射复合缺陷对LED老化性能的影响。结果表明，非辐射复合缺陷是造成GaN基LED老化过程中隧穿电流增大、IV特性偏离理想模型、理想因子增大以及光输出非线性化等现象的根本因素。在此基础上建立了非辐射复合缺陷浓度与LED老化性能之间的关系模型，提出了一种基于非辐射复合缺陷浓度及其恶化系数的GaN基LED老化性能评测方法。
非辐射复合缺陷 GaN基LED 老化性能 nonradiative recombination defect GaNbased LEDs aging property
利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性，讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现：一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的位置及其大小；并且当亚波长缺陷膜为左手材料时，Goos-Hnchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反.
光子晶体 亚波长材料 Goos-Hnchen位移 复合缺陷 Photonic crystals Subwavelength material Goos-Hnchen shift Composite defect
