华南师范大学 物理与电信工程学院， 广州 510006
为了研究由石墨烯覆盖半无限六方氮化硼结构中的古斯-汉欣位移性质，采用传输矩阵方法分析了结构参量对反射光古斯-汉欣位移的影响。结果表明,通过合理调节石墨烯的化学势或层数，均可实现古斯-汉欣位移由正到负的一个转变；通过选取合适的参量，可实现较大的古斯-汉欣位移，其最大值约为波长的450倍。此研究结果对设计光开关、光学传感器件具有重要意义。
物理光学 古斯-汉欣位移 传输矩阵 石墨烯 六方氮化硼 physical optics Goos-Hnchen shift transfer matrix graphene hexagonal boron nitride
湖南理工学院信息与通信工程学院, 湖南 岳阳 414006
提出了一种基于介质和石墨烯涂层的结构来进行古斯-汉欣位移调控, 利用传输矩阵法研究了该结构参数对共振角及共振角处反射光的古斯-汉欣位移的影响。数值模拟结果表明, 共振角随介质层厚度的增加逐渐增大, 而随石墨烯费米能级的增加逐渐减小; 古斯-汉欣位移大小随介质层厚度的增加先增加后减小, 而随石墨烯费米能级的增加单调减小。介质层厚度对共振角的影响较为显著, 而石墨烯费米能级对古斯-汉欣位移的影响较为显著。
材料 古斯-汉欣位移 石墨烯 共振角 反射 传输矩阵
1 宜春学院 物理科学与工程技术学院, 宜春 336000
2 宜春学院 职业技术学院, 宜春 336000
为了精密控制激光光束的平行移动, 利用双面金属包覆波导结构在导波共振激发时对古斯-汉欣(Goos-Hnchen)位移的增强效应, 采用光学非线性晶体材料作为波导的导波层, 通过在波导中两层金属膜间加入控制电压, 改变波导参量, 实现反射光侧向位移的电调谐, 得到了720μm范围内的光束平移电控, 控制精度可达25nm。结果表明, 实验结果和理论模拟吻合较好。预计本工作对光学微加工领域应用具有积极而广泛的意义。
物理光学 古斯-汉欣位移 光波导 光束平移 physical optics Goos-Hnchen shift optical waveguide laser beam shift
利用非相干理论和传输矩阵法研究了非相干光束在一维含缺陷层的光子晶体中的传输，分析了光束的非相干性和入射角度对缺陷模式透射位移和光子晶体反射面上位移的影响。结果表明，光束相干性越强，透射和反射位移量越大；入射角度增大，透射和反射位移量也都增大。并与不含缺陷结构的光子晶体的通带频率光束相比较，发现缺陷层的引入会使透射位移量增大，在不同相干条件下，缺陷模式的透射位移量要更大些。
光子晶体 非相干光束 古斯汉欣位移 缺陷模式 光学学报
2011, 31(12): 1226002
1 铜仁学院物理与电子科学系， 贵州 铜仁 554300
2 上海交通大学物理系区域光纤通信网和新型光通信系统国家重点实验室， 上海 200240
3 菲尼萨光电通讯有限公司， 上海 201201
根据对称金属包覆电光波导中本征损耗与古斯亨兴(Goos-Hnchen)位移的理论公式，导出了古斯亨兴位移与作用于波导两侧电压的二次关系公式。用622 μm厚度的四方相铌镁酸铅钛酸铅（PMN-PT）透明电光陶瓷片作为导波层制备了对称金属包覆波导，测量了古斯亨兴位移与作用于波导两侧电压的关系曲线，计算了所用透明电光陶瓷片的二次电光系数。实验结果与理论分析一致。
非线性光学 古斯亨兴位移 光波导 四方相铌镁酸铅钛酸铅
华南师范大学 信息光电子科技学院光子信息技术广东省教育厅重点实验室,广东 广州 510006
利用传输矩阵法研究了高斯光束被二维光子晶体反射时所出现的古斯汉森(GH)位移。在反射带内,对于完整的光子晶体,反射时出现的古斯汉森位移很小;当适当地改变表层空气柱的半径时,可以在反射带内获得数十倍于晶格常数的负古斯汉森位移。对这种性质的研究将有助于提高光子晶体和其他微、纳米光学器件互连时的耦合效率。
集成光学 古斯汉森位移 传输矩阵 光子晶体 激光与光电子学进展
2010, 47(7): 071301
利用传输矩阵法分析一维光子晶体中亚波长缺陷膜对缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的调制特性，讨论了亚波长缺陷膜的厚度、磁导率及介电常量对一维光子晶体缺陷模频率处的Goos-Hnchen位移的影响.研究发现：一层几何厚度极小的亚波长薄膜即可非常灵敏地调制一维光子晶体缺陷模频率处Goos-Hnchen位移的位置及其大小；并且当亚波长缺陷膜为左手材料时，Goos-Hnchen位移随亚波长缺陷膜物理参量的变化趋势与普通右手材料时的情形完全相反.
光子晶体 亚波长材料 Goos-Hnchen位移 复合缺陷 Photonic crystals Subwavelength material Goos-Hnchen shift Composite defect
