对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器.该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性.
非晶硅薄膜晶体管 室温红外探测器 SiO2栅介质
基于MOSFET的漏电流温度特性,提出了一种可与CMOS工艺兼容的新型室温红外探测器.它采用在SOI衬底上实现的MOSFET作为探测红外灵敏元,在MOSFET的钝化层上制作可提高红外吸收率的光学谐振腔,并利用硅微机械加工技术将SOI的隐埋氧化层悬空,形成热绝缘微桥结构.MOSFET在担当探测红外辐射灵敏元的同时,又作为放大处理电路的一部分,简化了电路.分析表明,探测器的探测率可高达109～1010cmHz1/2W-1.
漏电流温度特性 室温红外探测器 MOSFET MOSFET SOI SOI Temperature dependence of drain current Uncooled infrared detector
