聚酰亚胺复合材料以其优异的性能以及在航空航天、轨道交通、微电子等领域广泛的应用前景引起越来越多的关注。在750 ℃条件下对SiC晶须进行表面氧化处理, 形成SiC@SiO₂包覆结构晶须, 与BN颗粒构成复合填料, 分别采用硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂进行表面改性, 用原位聚合法制备了SiC@SiO₂/BN/PI(PI:聚酰亚胺)复合材料。采用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等进行结构和性能表征。结果表明: 晶须与颗粒质量比为4 : 1时, 复合填料在PI基体内形成了有效的导热网络, 且当填料含量为45wt%时, SiC@SiO₂/BN/PI复合材料导热系数达到0.95 W/(m·K)。SiC@SiO₂/BN/PI复合材料的力学性能随着复合填料的种类和数量的变化呈现规律性变化。SiO₂氧化层阻断复合填料间自由电子的移动, SiC@SiO₂/BN/PI复合材料的电气绝缘性能下降幅度减小。

对比研究了光导型探测器在激光辐照前后对信号的输出响应特性，发现在受到较高功率但低于永久损伤阈值的激光辐照之后，探测器系统对相同信号的输出响应有了较大程度的改变。分析表明：在使用较高功率密度激光对探测器进行处理后，探测器系统的散热性能有了改善。根据缺陷的退杂化模型对探测器预处理前后性能的改变进行了分析，对实验现象进行了解释。这可以为今后改进探测器的设计和制作工艺，提高探测系统抗激光辐照能力提供参考依据。