1 中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,湖北武汉,430071
2 北京理工大学光电工程系,北京,100081
结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉的离子束碰撞冷却方法,在射频阱中用激光溅射纯金属靶产生并选择囚禁了难熔元素钪与钛的低能多电荷离子Scn+(n=1～3)和Tin+(n=1～4).在本底气压为5.6×10-7 Pa下,测得Sc3+与Ti3+离子的衰减速率分别为1.98 s-1与0.58 s-1.
射频离子阱 多电荷离子 激光溅射
中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉 430071
用激光溅射金属氧化物的方法在射频离子阱中产生了Co和Ti的多电荷离子,结合离子阱选择囚禁技术和垂直交叉离子束碰撞冷却方法,得到了稳定囚禁的低能(电子伏特能量)Co3+和Ti4+离子。
激光溅射 射频离子阱 多电荷离子
1 中国科学院武汉物理所波谱与原子分子物理国家重点实验室, 武汉 430071
2 武汉工业大学, 武汉 430071
利用激光溅射的方法,已经在离子阱中产生并囚禁了C+n(n=1～13)原子团簇离子,并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达20 s。
原子团簇离子 激光溅射 射频离子阱
