作者单位
摘要
1 嘉应学院物理系, 梅州514015
2 河北大学物理科学与技术学院,保定 671002
利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表面处理AgBrI晶体自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表面处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0.255~0.265 eV。
微波相敏 自由载流子 束缚载流子 寿命 
激光与光电子学进展
2004, 41(7): 46

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