1 电子科技大学 物理电子学院， 成都 610054
2 中国科学院 光电技术研究所, 微细加工光学国家重点实验室， 成都 610209
介绍了一种利用激光干涉光刻技术得到特征图形，并通过离子束刻蚀将图形转移到铬层上，从而获得掩模的方法。针对掩模透光率以及对干涉图形对比度可能产生影响的两个参数分别进行了数值仿真，从而证明此方法的可行性和参数的优化选择。自搭干涉光刻实验系统，用257 nm的激光光源实现光刻，得到特征尺寸为100 nm的图形，再经过离子束刻蚀，最终得到周期200 nm、线宽100 nm的掩模。
激光干涉光刻 离子束刻蚀 纳米光刻 微纳结构制造 laser interference lithography ion beam etching nanolithography nanostructure fabrication
