中国工程物理研究院 应用电子学研究所， 四川 绵阳 621900
介绍了全固态高压快速离化半导体开关(FID)的工作原理和半导体结构，实验研究了在不同外偏置电压下的输出脉冲幅度特性和脉宽压缩特性，并对实验研究结果进行分析。在50 Ω负载下，将一输入脉冲幅度1.7 kV 、脉宽4 μs、重频2 kHz高压脉冲，通过FID压缩成脉冲幅度1 985 V、脉宽90 ns、重频2 kHz的高压脉冲。
高压脉冲 快速离化器件 半导体开关 等离子体 脉冲压缩 high voltage pulse fast ionization devices semiconductor switch plasma pulse compression
