作者单位
摘要
青岛理工大学土木工程学院,山东 青岛 266520
再生粗骨料中存在着较多的孔隙和微裂缝及表面附着的旧砂浆,导致再生粗骨料混凝土强度和耐久性能与普通混凝土相比较差。然而,纳米二氧化硅具有高火山灰活性、晶核效应和填充效应,使其在强化改性再生粗骨料混凝土的应用中具有重要意义。基于此,从工作性能、力学性能、耐久性和界面结构等方面,针对纳米二氧化硅改性再生粗骨料混凝土性能的研究进行了分析归纳,讨论了纳米二氧化硅对其性能提升的改性机理,为纳米二氧化硅在再生粗骨料混凝土性能提升方面的应用及推广提供理论和技术支撑。
再生粗骨料混凝土 纳米二氧化硅 改性机理 多重界面结构 性能提升 recycled coarse aggregate concrete nano-silica modification mechanism multi-interfacial structure performance improvement 
硅酸盐学报
2023, 51(8): 2045
作者单位
摘要
1 福州大学 物理与信息工程学院,福州 350108
2 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室),福州 350108
全无机钙钛矿量子点(PQDs)对环境的不稳定性问题成为了制约其实际应用的潜在威胁,从PQDs材料本身出发研究相应的性能和稳定性提升方案意义重大。本文通过引入离子交换树脂的缺陷钝化和选择性去除作用,实现了同时对CsPbBr3 PQDs性能改善和稳定性提升。一方面,引入离子交换树脂可以在不改变PQDs固有晶相的情况下选择性地去除形貌差、结构不稳定的PQDs单晶,这使得所制备的PQDs的表面形貌和均一性得到了很大程度的改善,并且在长时间紫外光照和高温实验下,PQDs的稳定性也得到较大提升;另一方面,在改性前后,CsPbBr3 PQDs的光致发光量子产率(PLQY)和荧光寿命都有了显著提升,PLQY从53.23%提高到了90.00%,荧光寿命则从10.4 ns提高到了22.2 ns。本文研究为PQDs的性能改善与稳定性提升提供了新的思路,由于离子交换树脂可再生和低成本的特性,在光电领域具有广阔的应用前景。
钙钛矿量子点 离子交换树脂 缺陷钝化 选择性吸附 性能提升 Perovskite quantum dots Ion exchange resin Defect passivation Selective adsorption Performance improvement 
光子学报
2022, 51(6): 0616001
作者单位
摘要
1 南京工业大学先进材料研究院,江苏 南京 210009
2 西北工业大学柔性电子研究院,陕西 西安 710129
近年来兴起的新型金属卤化物钙钛矿材料兼具无机和有机发光材料的诸多优点,如可利用溶液法大面积制备、带隙易调控、载流子迁移率高、荧光量子效率高等,有望突破传统半导体光电材料的技术瓶颈。钙钛矿发光二极管被认为是最有潜力实现低成本、高亮度、大面积、可柔性化的下一代发光与显示技术。本文主要介绍了王建浦团队在钙钛矿发光领域取得的研究成果,总结了提升钙钛矿发光二极管性能的主要策略,并对钙钛矿发光二极管的未来发展方向进行了展望。
视觉光学 发光二极管 金属卤化物钙钛矿 发光与显示技术 性能提升 
光学学报
2022, 42(17): 1733001
作者单位
摘要
广州大学 机械与电气工程学院, 广东 广州 510006
为推动旋转行波超声电机的发展及其在精密驱动领域的应用, 综述了其性能提升技术研究进展并分析了现阶段尚且存在的技术问题。首先, 从定子行波的合成、质点椭圆运动轨迹、接触界面的摩擦驱动等方面论述了传统旋转行波超声电机的运行机理。然后, 从结构优化和新材料应用角度综述了旋转行波超声电机的发展及其局限性; 从温升控制角度阐释了温度变化对超声电机性能的影响并介绍了现有解决方案; 论述了变预压力对谐振频率漂移的耦合影响, 并指出了目前研究存在的不足; 从双行波驱动角度分析了超声电机发展过程中的重大突破, 概况了其研究历程及可行的发展方向。最后, 归纳了旋转行波超声电机亟待解决的技术难题, 并建议了解决方案。
超声电机 性能提升 温升 频率漂移 双行波 ultrasonic motors performance promotion temperature rise frequency shifting dual traveling wave 
光学 精密工程
2020, 28(5): 1109
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十九研究所,四川 成都 610036
2 成都海威华芯科技有限公司,四川 成都 610299
针对0.5 μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度并提高栅金属对氮化硅槽填充的完整性;软着陆部分则以极低的偏置功率对氮化硅进行过刻蚀,确保完全清除氮化硅的同时尽量减小沟道损伤。通过器件优化前后各项特性的测试结果对比发现:优化后的器件关态击穿电压从140 V提升至200 V以上,3.5 GHz下输出功率密度从5.8 W/mm提升至8.7 W/mm,功率附加效率(PAE)从55.5%提升至66.7%。无偏置高加速应力试验96 h后,工艺优化后的器件外观无明显变化,最大电流变化<5%,表明器件可靠性良好。
氮化镓高电子迁移率晶体管 栅工艺 电感耦合等离子体刻蚀 性能提升 可靠性 GaN High Electron Mobility Transistor gate process Inductive Coupled Plasma(ICP) 
太赫兹科学与电子信息学报
2020, 18(2): 318
作者单位
摘要
京东方科技集团股份有限公司, 北京 100176
从高像素填充因子、低噪声、高帧频、高空间分辨率及柔性五个方面对近些年X射线平板探测器背板工艺的研究进展进行了综述。通过对研究过程中的材料选择、像素结构和读出电路优化的详细阐述, 分析了X射线平板探测器背板工艺的研究现状及改善方向。文章同时从新结构、新材料、电路设计及三维探测设计四个方面给出了X射线平板探测背板技术未来的发展趋势。
平板探测器 背板工艺 性能提升 flat panel detector backplane technology performance improvement 
半导体光电
2018, 39(3): 312

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