1 上海大学特种光纤与光接入网重点实验室，上海 200444
2 上海大学特种光纤与先进通信国际合作联合实验室，上海 200444
硅锗合金在非平衡条件下凝固时容易出现成分偏析，光纤制备过程带来的成分分布不均匀问题会导致很高的光纤损耗。利用CO2激光对半圆柱硅棒和锗棒拼接法制备的硅锗芯石英包层光纤进行热处理，研究不同处理条件对纤芯成分分布的影响。实验结果表明，在激光扫描方向上的边缘区域可形成连续的富硅硅锗合金，并且越靠近该边缘区域，纤芯的成分分布越均匀。本研究为制备和优化硅锗芯光纤，实现纤芯均匀的成分分布提供了方法。
光纤光学 硅锗芯光纤 光纤材料 激光热处理 成分偏析 富硅均匀区 激光与光电子学进展
2021, 58(3): 0306001
天津工业大学材料科学与工程学院， 天津 300387
介绍了GaSb单晶的制备方法，包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法，总结了它们的优缺点。研究结果表明，VB法、VDS法和VGF法更适合GaSb单晶的生长。进一步介绍了三元合金GaInSb晶体生长工艺的研究进展，微重力环境可以有效抑制晶体中In元素的成分偏析，提高晶体的均匀性。简单介绍了GaSb单晶材料在器件制作方面的应用，展望了GaInSb晶体材料的发展前景。
材料 晶体生长 成分偏析 激光与光电子学进展
2017, 54(7): 070007
